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元件参数资料
>
参数目录34093
> DDTA113TUA-7 TRANS PREBIASED PNP 200MW SOT323
型号:
DDTA113TUA-7
RoHS:
否
制造商:
Diodes Inc
描述:
TRANS PREBIASED PNP 200MW SOT323
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DDTA113TUA-7 PDF
产品目录绘图
DDTAxxxT(CA,UA,E) Circuit
SOT-323 Side
SOT-323 Top
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
1k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
200mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1579 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DDTA113TUADICT
查看DDTA113TUA-7代理商
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